讲个段子, 前两年有客户委托我们做一颗cmos
然后设计完流片回来调试, 对方说放大之后这个噪点这么明显呢, 然后我尽可能的把底噪调到最低(初期开发阶段, 还想低就需要优化cmos设计了), 对方还是不满意, 说放大后噪点明显
然后我解释, 这个不是底噪了, 是光shot noise主导了, 满阱低放大看就是这样的(可以简单理解为底子小), 还讲了公式理论, 对方不认同
最后怎么认同我说的了呢, 拿了颗国外同规格的cmos, 一照相噪点也这样
对方是专业相关人员, 讲道理也没用的, 还是上照片最直观
