ZEN2目前看即使有7nm加持,但是同频率电压仍然高于Intel 14nm忘了几个+的工艺。
SIMD宽度翻倍后核心面积减少,没有工艺巨大进步,导致的是发热更加集中,发热密度更大。也许不是功耗很高的情况下,已经温度过热了。
目前看在低压下表现较为优秀,0.932V下可以在3.5Ghz下稳定运行P95 Small FFT,功耗约90W
至于3900X目前测试在360排散热的默认情况下,烤鸡FPU/P95都能稳定4.1Ghz,功耗分别为160W/190W。
4.3G则需要1.38V左右电压,FPU/P95功耗变为210W/265。此时CBr20约7680。
而4.4G则1.41V左右达到可以CBr20,约7713,此时3200C16有所瓶颈。功耗约200W。
通常情况下单核可以达到4.575Ghz,手动加压可以在4.625Ghz下跑完SuperPI,此时1M时间8.970s。
另外测试使用4条16G CJR 3200C16较难不改时序上3600,3466还好。 测试用了XPG翔金色内存4条。
SIMD宽度翻倍后核心面积减少,没有工艺巨大进步,导致的是发热更加集中,发热密度更大。也许不是功耗很高的情况下,已经温度过热了。
目前看在低压下表现较为优秀,0.932V下可以在3.5Ghz下稳定运行P95 Small FFT,功耗约90W
至于3900X目前测试在360排散热的默认情况下,烤鸡FPU/P95都能稳定4.1Ghz,功耗分别为160W/190W。
4.3G则需要1.38V左右电压,FPU/P95功耗变为210W/265。此时CBr20约7680。
而4.4G则1.41V左右达到可以CBr20,约7713,此时3200C16有所瓶颈。功耗约200W。
通常情况下单核可以达到4.575Ghz,手动加压可以在4.625Ghz下跑完SuperPI,此时1M时间8.970s。
另外测试使用4条16G CJR 3200C16较难不改时序上3600,3466还好。 测试用了XPG翔金色内存4条。