- **CPU型号**：LS3A6000 CPU
- **芯片尺寸**：MZD_130 Die
- **工艺制程**：12nm FinFET HKMG CMOS Process
### 1. 处理器概述
- **架构与核心**：基于龙芯LoongArch微架构，是一款四核、2.5 GHz CPU，八线程3A6000系列处理器。
- **制造工艺**：采用中芯国际（SMIC）的12nm制造工艺，时钟频率范围为2.0 - 2.5 GHz，功耗最高可达50瓦。
- **缓存**：具有256 KB的L2缓存和16 MB的L3缓存（参考DFR - 2404 - 801芯片布局和芯片利用率）。
### 2. 性能对比
- **与竞品对比**：LS3A6000 CPU的性能与英特尔的第10代酷睿i3 - 10100和AMD的锐龙3 3100处理器相当。
- **运算操作**：在整数和浮点运算操作中，LS3A6000的性能与这些较旧的英特尔和AMD芯片相似，尽管其时钟速度低于英特尔i3 - 10100（3.6 - 4.3 GHz）和锐龙3 3100（3.6 - 3.9 GHz）。
- **计算速度**：采用SMIC的12nm工艺，LS3A6000的峰值计算速度达到240 gigaflops，这代表了龙芯处理器产品线的显著进步，能够为广泛的计算应用提供增强的性能。
### 3. 芯片提取与制造细节
- **芯片提取**：LS3A6000_MZD_130芯片是从龙芯中科技术（Loongsong Zhongke Technology）的PC主板（DFR - 2404 - 801）上提取的LS3A6000 CPU封装中获得的。LS3A6000 CPU采用倒装芯片球栅阵列（FCBGA）封装，包含单个带有MZD_130标记的芯片。
- **制造工艺**：LS3A6000_MZD_130芯片可能由中芯国际（SMIC）在300mm晶圆上使用12nm FinFET高k金属栅极（HKMG）CMOS工艺制造。这种识别基于与中芯国际早期14nm工艺的特征对比，以及通过对海思麒麟710A应用处理器的TechInsights分析。
### 4. 工艺比较
- **与其他工艺对比**：中芯国际12nm工艺与台积电（TSMC）12FFC工艺相似，后者用于海思麒麟710A（ACE - 1804 - 801），在接触栅和鳍间距方面有相似之处。
- **关键尺寸和特征**：
- **金属2（M2）最小间距**：中芯国际12nm为51nm（中芯国际14nm为64nm），逻辑单元高度从480nm（中芯国际14nm）降至383nm（中芯国际12nm），逻辑单元密度增加25%，接近台积电12FFC工艺（47nm M2最小间距）。
- **标准逻辑单元的鳍间距**：48nm最小鳍间距与中芯国际14nm（48nm鳍间距）和台积电12FFC（47nm鳍间距）相似。
- **最小接触栅间距（CGP）**：逻辑单元中的为96nm，SRAM中的为90nm，定制逻辑在中芯国际14nm中为96nm CGP，在台积电12FFC中为94nm CGP。
- **金属互连层**：中芯国际12nm有14个金属（13 Cu，1 Al）互连层，而中芯国际14nm和台积电12FFC有9个金属（8 Cu，1 Al）互连层。
- **蚀刻停止层（ESL）**：中芯国际12nm在ILD1至ILD3中用氮化硅（SiCN）蚀刻停止层（ESL）取代了硅氧碳氮化物（SiOCN），并采用了AIN ESL。
https://mp.weixin.qq.com/s/h43ovvll-2gzvoKsXfIfzg
- **芯片尺寸**：MZD_130 Die
- **工艺制程**：12nm FinFET HKMG CMOS Process
### 1. 处理器概述
- **架构与核心**：基于龙芯LoongArch微架构，是一款四核、2.5 GHz CPU，八线程3A6000系列处理器。
- **制造工艺**：采用中芯国际（SMIC）的12nm制造工艺，时钟频率范围为2.0 - 2.5 GHz，功耗最高可达50瓦。
- **缓存**：具有256 KB的L2缓存和16 MB的L3缓存（参考DFR - 2404 - 801芯片布局和芯片利用率）。
### 2. 性能对比
- **与竞品对比**：LS3A6000 CPU的性能与英特尔的第10代酷睿i3 - 10100和AMD的锐龙3 3100处理器相当。
- **运算操作**：在整数和浮点运算操作中，LS3A6000的性能与这些较旧的英特尔和AMD芯片相似，尽管其时钟速度低于英特尔i3 - 10100（3.6 - 4.3 GHz）和锐龙3 3100（3.6 - 3.9 GHz）。
- **计算速度**：采用SMIC的12nm工艺，LS3A6000的峰值计算速度达到240 gigaflops，这代表了龙芯处理器产品线的显著进步，能够为广泛的计算应用提供增强的性能。
### 3. 芯片提取与制造细节
- **芯片提取**：LS3A6000_MZD_130芯片是从龙芯中科技术（Loongsong Zhongke Technology）的PC主板（DFR - 2404 - 801）上提取的LS3A6000 CPU封装中获得的。LS3A6000 CPU采用倒装芯片球栅阵列（FCBGA）封装，包含单个带有MZD_130标记的芯片。
- **制造工艺**：LS3A6000_MZD_130芯片可能由中芯国际（SMIC）在300mm晶圆上使用12nm FinFET高k金属栅极（HKMG）CMOS工艺制造。这种识别基于与中芯国际早期14nm工艺的特征对比，以及通过对海思麒麟710A应用处理器的TechInsights分析。
### 4. 工艺比较
- **与其他工艺对比**：中芯国际12nm工艺与台积电（TSMC）12FFC工艺相似，后者用于海思麒麟710A（ACE - 1804 - 801），在接触栅和鳍间距方面有相似之处。
- **关键尺寸和特征**：
- **金属2（M2）最小间距**：中芯国际12nm为51nm（中芯国际14nm为64nm），逻辑单元高度从480nm（中芯国际14nm）降至383nm（中芯国际12nm），逻辑单元密度增加25%，接近台积电12FFC工艺（47nm M2最小间距）。
- **标准逻辑单元的鳍间距**：48nm最小鳍间距与中芯国际14nm（48nm鳍间距）和台积电12FFC（47nm鳍间距）相似。
- **最小接触栅间距（CGP）**：逻辑单元中的为96nm，SRAM中的为90nm，定制逻辑在中芯国际14nm中为96nm CGP，在台积电12FFC中为94nm CGP。
- **金属互连层**：中芯国际12nm有14个金属（13 Cu，1 Al）互连层，而中芯国际14nm和台积电12FFC有9个金属（8 Cu，1 Al）互连层。
- **蚀刻停止层（ESL）**：中芯国际12nm在ILD1至ILD3中用氮化硅（SiCN）蚀刻停止层（ESL）取代了硅氧碳氮化物（SiOCN），并采用了AIN ESL。
https://mp.weixin.qq.com/s/h43ovvll-2gzvoKsXfIfzg
熊
