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，去年给PS5扩容1TB的固态时本来想支持一下的，最后选了个便宜快100的铠侠。
要走
YMTC NAND 部分翻译(by deepseek R1)：
TechInsights确认中国长江存储科技有限责任公司(YMTC)最新推出的Xtacking4.x 2yyL 1 Tb 3D TLC NAND芯片是目前商用产品中垂直堆叠层数最高的存储芯片。尽管面临美国严厉制裁，长江存储仍成功将Xtacking4.0架构扩展至2yy层3D NAND器件，这是TechInsights在市场上首次发现的2yy层3D NAND产品(符合3D NAND技术路线图规划)。
从致态TiPro9000 ZTSS3CB08B34MC固态硬盘拆解的Xtacking4.x芯片显示：该芯片采用创新的Xtacking4.x架构设计，包含2yy有效存储层(总层数达到294层，不含SGD)，下层150层与上层144层通过晶圆级混合键合技术实现垂直互联。相较于前代Xtacking4.0架构160层TLC产品(含选择栅和虚拟栅共180层，不含SGD)，新型号在垂直通道布局上进行了微调，首次实现TLC NAND存储单元密度突破20Gb/mm²行业标杆。经测算有效字线(WL)数量约270条。在美国禁令限制半导体设备进口的背景下，长江存储通过Xtacking4.x技术创新，为突破3D NAND晶圆厂扩建限制开辟了新路径。
更多技术细节请参阅TechInsights专题报告《颠覆性事件：中国正在缩小存储技术差距》中的深度分析。
(注：专业术语处理说明：
1. 保留"Xtacking"、"SGD"、"WL"等专业技术术语，必要时辅以括号说明
2. "2yy"作为未公开具体数值的层数代号予以保留
3. 晶圆键合技术采用"混合键合"行业标准译法
4. 存储密度单位Gb/mm²按国际标准表达
5. 产品型号"TiPro9000 ZTSS3CB08B34MC"保持原文规范写法)
TechInsights确认中国长江存储科技有限责任公司(YMTC)最新推出的Xtacking4.x 2yyL 1 Tb 3D TLC NAND芯片是目前商用产品中垂直堆叠层数最高的存储芯片。尽管面临美国严厉制裁，长江存储仍成功将Xtacking4.0架构扩展至2yy层3D NAND器件，这是TechInsights在市场上首次发现的2yy层3D NAND产品(符合3D NAND技术路线图规划)。
从致态TiPro9000 ZTSS3CB08B34MC固态硬盘拆解的Xtacking4.x芯片显示：该芯片采用创新的Xtacking4.x架构设计，包含2yy有效存储层(总层数达到294层，不含SGD)，下层150层与上层144层通过晶圆级混合键合技术实现垂直互联。相较于前代Xtacking4.0架构160层TLC产品(含选择栅和虚拟栅共180层，不含SGD)，新型号在垂直通道布局上进行了微调，首次实现TLC NAND存储单元密度突破20Gb/mm²行业标杆。经测算有效字线(WL)数量约270条。在美国禁令限制半导体设备进口的背景下，长江存储通过Xtacking4.x技术创新，为突破3D NAND晶圆厂扩建限制开辟了新路径。
更多技术细节请参阅TechInsights专题报告《颠覆性事件：中国正在缩小存储技术差距》中的深度分析。
(注：专业术语处理说明：
1. 保留"Xtacking"、"SGD"、"WL"等专业技术术语，必要时辅以括号说明
2. "2yy"作为未公开具体数值的层数代号予以保留
3. 晶圆键合技术采用"混合键合"行业标准译法
4. 存储密度单位Gb/mm²按国际标准表达
5. 产品型号"TiPro9000 ZTSS3CB08B34MC"保持原文规范写法)
CXMT DRAM 部分翻译(by deepseek R1)：
以下是您提供内容的专业中文翻译：
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在当前DDR5技术占据市场主流的背景下，中国领先的DRAM制造商长鑫存储(CXMT)正式向市场推出16Gb DDR5芯片。本周，TechInsights对一款商用设备进行拆解分析时发现了这一突破。光威DDR5-6000 UDIMM内存条(型号VGM5UC60C36AG-DVDYBN)搭载了16颗长鑫存储生产的16Gb DDR5芯片(见图1)。该芯片尺寸为66.99平方毫米(长8.19mm，宽8.18mm，裸片密封封装)，位密度达0.239 Gb/mm²。芯片采用长鑫第四代(G4)先进DRAM工艺，存储单元面积0.0020平方微米，特征尺寸(F)为16.0纳米。相较前代G3工艺(F=18.0nm)，单元面积缩小20%(详见表1)。其活性区、字线和位线间距分别为29.8nm、41.7nm和47.9nm，与三星、SK海力士及美光的D1z工艺(F=15.8~16.2nm)水平相当。长鑫存储此前产品涵盖DDR3L(2Gb/4Gb)、DDR4(4Gb/8Gb)、LPDDR4X(6Gb/8Gb)及LPDDR5(12Gb)，此次DDR5的发布进一步完善了其产品矩阵。该公司的工艺路线始于23.8nm(D2y)的G1代，随后演进至18.0nm(D1x)的G2代。
**配图说明**
图1. 取自光威DDR5-6000 UDIMM的长鑫存储16Gb DDR5芯片.png
表1. 长鑫存储DRAM工艺代际对比(G1至G4).png
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根据TechInsights《2024年第四季度DRAM市场报告》，DDR5在2024年第二季度出货量已超越DDR4，全年达870亿Gb(DDR4为620亿Gb)，预计2025年将增长至1500亿Gb(市占率57%)，并持续主导市场至2027年。尽管美国禁令限制18nm及以下DRAM技术的研发，长鑫仍成功基于16.0nm先进制程开发出面向中国本土市场的DDR5产品。
目前，三大DRAM巨头(三星、SK海力士、美光)已采用D1a/D1α及D1b/D1β等更先进工艺(特征尺寸12-14nm)生产DDR5芯片，其中16Gb产品占据主流。国际厂商自2021年启动16Gb DDR5量产，这意味着长鑫存储存在约三年的技术代差。值得注意的是，长鑫跳过17nm(D1y)节点直接切入16nm(D1z)工艺，并正积极研发无EUV光刻的15nm以下工艺及HBM技术。TechInsights技术分析团队将持续跟踪其材料、工艺集成及芯片设计进展，相关研究成果将陆续发布于TechInsights平台，敬请关注。
**配图说明**
表2. 三星、SK海力士、美光与长鑫存储16Gb DDR5产品对比.png
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(注：专业术语处理说明：
1. 保留"DDR5"、"Gb"、"nm"、"D1z"等国际通用技术术语
2. "exabit"转换为中文单位时采用"亿Gb"(1 exabit = 10亿Gb)
3. 工艺节点命名规则(如G4、D1x)遵循行业惯例直译
4. 产品型号"VGM5UC60C36AG-DVDYBN"保持原文规范写法
5. 尺寸单位"mm²"、"µm²"按国际标准保留)
以下是您提供内容的专业中文翻译：
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在当前DDR5技术占据市场主流的背景下，中国领先的DRAM制造商长鑫存储(CXMT)正式向市场推出16Gb DDR5芯片。本周，TechInsights对一款商用设备进行拆解分析时发现了这一突破。光威DDR5-6000 UDIMM内存条(型号VGM5UC60C36AG-DVDYBN)搭载了16颗长鑫存储生产的16Gb DDR5芯片(见图1)。该芯片尺寸为66.99平方毫米(长8.19mm，宽8.18mm，裸片密封封装)，位密度达0.239 Gb/mm²。芯片采用长鑫第四代(G4)先进DRAM工艺，存储单元面积0.0020平方微米，特征尺寸(F)为16.0纳米。相较前代G3工艺(F=18.0nm)，单元面积缩小20%(详见表1)。其活性区、字线和位线间距分别为29.8nm、41.7nm和47.9nm，与三星、SK海力士及美光的D1z工艺(F=15.8~16.2nm)水平相当。长鑫存储此前产品涵盖DDR3L(2Gb/4Gb)、DDR4(4Gb/8Gb)、LPDDR4X(6Gb/8Gb)及LPDDR5(12Gb)，此次DDR5的发布进一步完善了其产品矩阵。该公司的工艺路线始于23.8nm(D2y)的G1代，随后演进至18.0nm(D1x)的G2代。
**配图说明**
图1. 取自光威DDR5-6000 UDIMM的长鑫存储16Gb DDR5芯片.png
表1. 长鑫存储DRAM工艺代际对比(G1至G4).png
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根据TechInsights《2024年第四季度DRAM市场报告》，DDR5在2024年第二季度出货量已超越DDR4，全年达870亿Gb(DDR4为620亿Gb)，预计2025年将增长至1500亿Gb(市占率57%)，并持续主导市场至2027年。尽管美国禁令限制18nm及以下DRAM技术的研发，长鑫仍成功基于16.0nm先进制程开发出面向中国本土市场的DDR5产品。
目前，三大DRAM巨头(三星、SK海力士、美光)已采用D1a/D1α及D1b/D1β等更先进工艺(特征尺寸12-14nm)生产DDR5芯片，其中16Gb产品占据主流。国际厂商自2021年启动16Gb DDR5量产，这意味着长鑫存储存在约三年的技术代差。值得注意的是，长鑫跳过17nm(D1y)节点直接切入16nm(D1z)工艺，并正积极研发无EUV光刻的15nm以下工艺及HBM技术。TechInsights技术分析团队将持续跟踪其材料、工艺集成及芯片设计进展，相关研究成果将陆续发布于TechInsights平台，敬请关注。
**配图说明**
表2. 三星、SK海力士、美光与长鑫存储16Gb DDR5产品对比.png
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(注：专业术语处理说明：
1. 保留"DDR5"、"Gb"、"nm"、"D1z"等国际通用技术术语
2. "exabit"转换为中文单位时采用"亿Gb"(1 exabit = 10亿Gb)
3. 工艺节点命名规则(如G4、D1x)遵循行业惯例直译
4. 产品型号"VGM5UC60C36AG-DVDYBN"保持原文规范写法
5. 尺寸单位"mm²"、"µm²"按国际标准保留)
