lz今年寒假刚复习数电模电（基本等于重新学），水平比较次，请见谅
下图里，SIMOS管在漏极施加大于12v的电压时，发生血崩击穿，高能电子从N级流出
问题来了，击穿不都是发生在反向电压下吗，这时候内电场加强（N➡️P），应该是少子漂流运动加强，那么N区的多子电子不应该更趋向于留在N区吗，反而是P区的少子电子会流到N区吗，为什么这个视频里，雪崩击穿是N区里的高能电子被“拉”出啊？还是因为其他的原因导致高能电子被拉出？
求大佬解答疑惑，我已经纠结了一个晚上了，睡不着觉了的说😖