超级电容器主要用于提供瞬时高功率支持，提高电源系统的可靠性和效率。英伟达GB300与GB200比较最大变化是HBM8到HBM12升级，GB300采用了12层堆叠的HBM3e显存，相比GB200功耗提升约20%。这一变化导致芯片的EDP（Electrical Design Point）的1ms过载峰值从160%提升到190%，50ms过载提升到160%。为应对过载冲击，需要在ACDC电源侧配置超级电容作为调峰组件，平复冲击。如果不在最接近芯片侧的ACDC电源侧解决动态负载冲击，则冲击会放大到UPS/HVDC侧或输入侧，则需要更大的储能组件进行动态调峰治理，从第一性原理考虑应在负载侧增加超容器件。

超级电容将在GB300机柜中实现从0到1突破，市场空间将超20亿元。2024年超容全球市场规模为23.8亿美元，英伟达下一代GB300机柜及后续Rubin系列产品将采用超级电容器作为标配使用，机柜内超容产品将是从0到1的突破，预计2026年批量交付GB300带来的新增超容市场规模超过20亿元。目前各大云厂商正处于样品测试阶段，最终方案还在不断调整中，预测超级电容的用量和价值量会同步提升。

算力提升带来训练场景中负载侧毫秒级过载波动，预期英伟达下一代产品GB300采用标配形式超级电容模组，有望带动电源板块量价齐升。GB300电源的功率密度会大幅度提升，预计电源模块减少至4U，腾挪4U空间给到超容模组。从而形成1-50ms过载由超级电容解决，秒级波动（过载或掉电）由柜外UPS/HVDC解决的方案。目前看，ms级响应、百万次充放电、高倍率的储能器件，超级电容是最合适的选择。